6月25日，布全IBM宣布在半导体技术领域获得重大突破，球首推出了全球首款“亚纳米”（sub-1nm）芯片工艺技术。款亚该技术采用了革命性的纳米“三维垂直堆叠”（NanoStack）晶体管架构，直接跨越至0.7纳米（即7埃米，芯片Angstrom）节点。技术

　　通过这种新型3D架构，布全IBM胜利在指甲盖大小的球首芯片上集成了近1000亿个晶体管，晶体管密度较其2021年推出的款亚2纳米芯片整整翻了一番。根据测试数据，纳米与2纳米芯片相比，芯片该技术预计将带来最高50%的技术性能提升，或降低达70%的布全能耗，同时使SRAM（静态随机存取存储器）的球首面积缩减40%，这将为亟需高带宽、款亚低能耗的AI算力芯片注入强劲动力。

(责任编辑：{typename type="name"/})